核心技术：
超高膜厚匀性控制工艺与设备技术；
超低温成膜工艺与对应之设备技术；
独家射频等离子体清洁工艺；

先进性：
自有IP特殊Pre-treatment电极设计；
保证立体结构的完整包覆是借由设计TS Distance的优化，独家的shielding box设计以及工艺参数的优化来达成；
独特的cathode设计特点